ETSIT  ¦ Agenda Institucional  ¦  Evento

Conferencia: "Propiedades optoelectrónicas de materiales semiconductores avanzados: un enfoque para aplicaciones fotovoltaicas"



Lugar:
Aula de seminarios del Instituto de Energía Solar – UPM,
Fecha y Hora:
Fecha de Inicio: 07 noviembre 2017
Hora de Inicio: 12:00
Hora de Finalización: 14:00

Organizador:

Descripción:

Dr. Guillermo Santana Rodríguez

Departamento de Materiales de Baja Dimensionalidad Instituto de Investigaciones en Materiales-Universidad Nacional Autónoma de México

Título: "Propiedades optoelectrónicas de materiales semiconductores avanzados: un enfoque para aplicaciones fotovoltaicas"

"Optoelectronic properties of advanced semiconductor materials: An approach for photovoltaic applications"

 

En esta charla se presenta un recuento sobre el crecimiento y la caracterización de diferentes materiales semiconductores cuyo último fin es ser utilizados en la fabricación de dispositivos fotovoltaicos. Compuestos de silicio en sus diferentes formas alotrópicas a decir silicio amorfo, polimorfo, nanocristalino y microcristalino son crecidos en forma de películas delgadas por la técnica de PECVD utilizando al diclorosilano como gas precursor. El control del tamaño y la densidad de nanocristales de silicio, embebidos en películas de silicio amorfo, nitruro de silicio y de oxicarburo de silicio, son utilizados como materiales absorbentes, ventanas ópticas, convertidores de frecuencia (down shifting) para mejorar la respuesta espectral de los dispositivos en la región violeta-azul del espectro electromagnético. Se presenta el estudio de sistemas de bicapas de silicio polimorfo y nitruro de silicio rico en silicio, para ser utilizadas como capa antireflejante, pasivante y convertidora de frecuencia, permitiendo estos sistemas un incremento notable en la respuesta espectral de las celdas solares de silicio y por ende un importante aumento en la corriente de corto circuito de los dispositivos fabricados. También se presenta un trabajo preliminar sobre las propiedades optoelectrónicas de óxidos de metales de transición como el MoOx y sus posibles aplicaciones al mejoramiento de las características eléctricas de las celdas solares. Por último se presenta un estudio de estructuras unidimensionales de óxido de zinc obtenidas por VLS sobre diferentes capas colchón.

 

Guillermo Santana Rodríguez es Investigador Titular y Jefe de Departamento de Materiales de Baja Dimensionalidad en el Instituto de Investigación en Materiales de la Universidad Nacional Autónoma de México. Realiza investigaciones en películas delgadas de compuestos de silicio, en materiales nanoestructurados y en celdas solares tanto de silicio como de películas delgadas de compuestos II-VI y III-V. También en sistemas nanocatalíticos y conductores iónicos en base a nanopartículas metálicas sobre substratos de ZrO2, TiO2 y CeO2. Posee el máximo nivel (III) en el Sistema Nacional de Investigadores (SNI) de Mexico. Tiene 113 trabajos publicados en extenso y acumula 1255 citas. Ha dirigido el trabajo de 6 posdoctorantes (1 en proceso); 6 doctorantes (8 en proceso); 8 masters (2 en proceso) y 10 licenciados (3 en proceso). Es miembro de varios comités editoriales y de evaluación y ha recibido varios premios por su actividad científica.

 

 


Área de descarga